对采用MOS管栅极电容存储电荷来暂存信息的动态存储器而言,存储器两遍刷新之间所允许的最长时间间隔通常约为
A.8ms
B.5ms
C.10ms
D.2ms
正确答案:D
版权声明
声明:有的资源均来自网络转载,版权归原作者所有,如有侵犯到您的权益
请联系本站我们将配合处理!
上一篇 : 在调相制方式中
对采用MOS管栅极电容存储电荷来暂存信息的动态存储器而言,存储器两遍刷新之间所允许的最长时间间隔通常约为
A.8ms
B.5ms
C.10ms
D.2ms
正确答案:D
声明:有的资源均来自网络转载,版权归原作者所有,如有侵犯到您的权益
请联系本站我们将配合处理!